Ecco a voi come la tecnologia fa passi avati.Da tempo si studia il grafene, in particolare
nell’ambito della ricerca fisica applicata all’elettronica. Studi che
hanno aperto la strada al possibile impiego del grafene nell’industria
dei semiconduttori e nella realizzazione di dispositivi elettronici con
prestazioni nettamente superiori a quelli basati sulle tecnologie al
silicio, sia in termini di velocità che di affidabilità e resistenza.
In questi giorni sono arrivati i primi risultati di due importanti
studi. Al Penn State
Electro-Optics Center è stato realizzato un wafer al
grafene del diametro di 100 millimetri, un ulteriore passo verso
l’uso del grafene nei device elettronici di prossima generazione e del
cosiddetto “terahertz computing”, ovvero processori da 100 a 1000 volte
più veloci rispetto a quelli basati al silicio.
Il secondo studio, invece, proviene dal Giappone, dai ricercatori
della Tohoku University e di altri istituti e centri di ricerca
nipponici. Come segnala Punto
Informatico, lo studio
riguarda la crescita epitassiale su silicio attraverso un’elettronica
combinata grafene-silicio. Uno studio che descrive un metodo
rivoluzionario per fondere insieme grafene e silicio.
Nello specifico, i ricercatori hanno messo a punto un sistema che
consente di applicare le tradizionali tecniche litografiche per lo
stampaggio dei circuiti integrati a un sottile strato di grafene.